Tris-HEPES-SDS Running Buffer,10X
Tris-HEPES-SDS Running Buffer,10X应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
Yeast Lysis Solution for DNA Isolation
Yeast Lysis Solution for DNA Isolation应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
TABS Buffer,0.2M,pH9.0
TABS Buffer,0.2M,pH9.0应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
RNA Sample Buffer (without EB)
RNA Sample Buffer (without EB)应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
Sodium Carbonate Solution（碳酸钠溶液）,0.5M,pH9.4
Sodium Carbonate Solution（碳酸钠溶液）,0.5M,pH9.4应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
Tris Buffered Saline(TBS),10X),pH8.0
Tris Buffered Saline(TBS),10X),pH8.0应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
乙酸铵溶液，10M
乙酸铵溶液，10M应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
TE Buffer,100X,pH8.0
TE Buffer,100X,pH8.0应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
RIPA Buffer,5X
RIPA Buffer,5X应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
Sodium Chloride Solution（氯化钠溶液），2M
Sodium Chloride Solution（氯化钠溶液），2M应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签